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FETモデリング

以下の電界効果トランジスタ(FET)モデルは、IC-CAPでサポートされています。 

製品番号 モデル 製品 概要
W8530EP Keysight EEFET3、Keysight EEHEMT1、Curtice Cubic、Curtice Quadratic、RaytheonのStatz サポート対象モデルの完全な測定/抽出手順
W8532EP Keysight Root FET、MOS、ダイオード デバイスの動作範囲に対してSパラメータおよびDCデータ配列のスプライン補間フィッティングを使用した、DCおよびRF 3ターミナル・アプリケーション用の自動モデリング手順です。このライセンスには、Keysight RootダイオードおよびMOSモデルの抽出も含まれています。
  • W8530EP IC-CAP高周波FETモデル W8530EP IC-CAP高周波FETモデル 

    W8530EP IC-CAP高周波FETモデル

    業界標準高周波FETコンパクト・モデル(EEFET3、EEHEMT1、Curtice、Statz)が含まれます。

  • W8532EP IC-CAP Rootモデル・ジェネレータ W8532EP IC-CAP Rootモデル・ジェネレータ 

    W8532EP IC-CAP Rootモデル・ジェネレータ

    デバイスの動作範囲に対してSパラメータおよびDCデータ配列のスプライン補間フィッティングを使用した、DCおよびRF 3端子アプリケーション用の自動化されたモデリング手順です。Rootダイオード/MOSモデル用の抽出も含まれています。

  • W8533EP IC-CAP Angelov-GaN Extraction Package W8533EP IC-CAP Angelov-GaN Extraction Package 

    W8533EP IC-CAP Angelov-GaN Extraction Package

    Accurate turn-key measurement and extraction solution for the Angelov-GaN model