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特点
- 通过对硅晶圆进行从直流到高速脉冲 IV 的全面测试,精确、快速地表征自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)等新型存储器
- 向 STT-MRAM 的磁性隧道结(MTJ)输入准确而高速的脉冲电压(最小 1 ns 脉冲),从而精确测量磁性隧道结的电阻
- 使用单一存储器测试解决方案执行所有典型的 MTJ 表征测试
- 比特误码率测试(BERT)等循环测试速度加快 10 至 100 倍
- 在写入脉冲时,捕获并清晰显示 MTJ 开关波形
- 采用是德科技专业技术打造的专用 1 ns IV 存储器测试解决方案
附件包括:
- 系统机柜
- PIV 驱动器单元
- PIV 接收机单元
主要技术指标
最大 SPGU 输出通道数
不适用
最大测量引脚数
2
最小电流测量分辨率
1 pA
最小电压测量分辨率
不适用
Parallel Parametric Test Capability
否
最大 SPGU 输出通道数
最大测量引脚数
最小电流测量分辨率
最小电压测量分辨率
Parallel Parametric Test Capability
不适用
2
1 pA
不适用
否
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其他特性:
Narrow Pulsed IV
外观因素 :
n/a
最大测量引脚数:
2
最大 SPGU 输出通道数:
不适用
最小电流测量分辨率:
1 pA
最小电压测量分辨率:
不适用
Parallel Parametric Test Capability:
否
脉冲电压量程:
-2 V to +2 V
脉宽范围:
1 ns to 2 s
类型:
Parametric Test Solution
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