WEBVTT NOTE This file was exported by MacCaption version 7.0.06 to comply with the WebVTT specification dated March 27, 2017. 00:00:00.067 --> 00:00:05.405 align:center line:-1 position:50% size:53% 이제 와이드 밴드갭 디바이스의 전력 손실에 대한 기본 사항을 알아보도록 하겠습니다. 00:00:05.405 --> 00:00:07.307 align:center line:-1 position:50% size:55% 공식을 활용하여 좀 더 자세히 알고 싶으시다면 00:00:07.307 --> 00:00:10.811 align:center line:-1 position:50% size:54% Parametric Measurement Handbook을 다운로드하여 참조하시기 바랍니다. 00:00:10.811 --> 00:00:16.316 align:center line:-1 position:50% size:41% 이 핸드북에 대해서는 프레젠테이션을 마칠 때 좀 더 말씀드리겠습니다. 00:00:16.316 --> 00:00:21.355 align:center line:-1 position:50% size:58% 전력 디바이스의 전력 손실에 대한 이해는 전력의 특성을 분석하는 데 00:00:21.355 --> 00:00:22.823 align:center line:-1 position:50% size:22% 매우 중요합니다. 00:00:22.823 --> 00:00:29.663 align:center line:-1 position:50% size:65% 전력 손실은 전도 손실, 스위칭 손실, 구동 손실 등 세 가지로 구성됩니다. 00:00:29.663 --> 00:00:33.033 align:center line:-1 position:50% size:46% 전도 손실의 원인은 트랜지스터의 ON 저항으로, 00:00:33.033 --> 00:00:37.337 align:center line:-1 position:50% size:52% 와이드 밴드갭 디바이스에는 일반적으로 매우 적게 나타납니다. 00:00:37.337 --> 00:00:42.342 align:center line:-1 position:50% size:59% 스위칭 손실의 원인은 트랜지스터 커패시턴스와 게이트 저항이고 00:00:42.342 --> 00:00:47.347 align:center line:-1 position:50% size:50% 구동 손실의 원인은 트랜지스터의 게이트 전하 관련 요구사항입니다. 00:00:47.347 --> 00:00:50.550 align:center line:-1 position:50% size:52% 다음 슬라이드에서는 이들 손실 각각에 대해 00:00:50.550 --> 00:00:55.389 align:center line:-1 position:50% size:56% 관련 디바이스 파라미터와 함께 차례로 알아봅니다. 00:00:55.389 --> 00:01:00.360 align:center line:-1 position:50% size:56% 이 슬라이드는 전력 손실의 구성 요소와 스위칭 주파수의 관계를 보여줍니다. 00:01:00.360 --> 00:01:06.099 align:center line:-1 position:50% size:59% 각 주파수 범위에서 가장 많이 사용되는 디바이스 유형도 알 수 있습니다. 00:01:06.099 --> 00:01:09.369 align:center line:-1 position:50% size:40% 구독 손실은 게이트 전하(Qg)로 계산하고 00:01:09.369 --> 00:01:12.372 align:center line:-1 position:50% size:49% 스위칭 손실은 게이트 저항(Rg)과 00:01:12.372 --> 00:01:16.677 align:center line:-1 position:50% size:45% 디바이스 기생 커패시턴스 또는 게이트 전하 특성으로 계산할 수 있습니다. 00:01:16.677 --> 00:01:21.448 align:center line:-1 position:50% size:53% 유도 손실은 ON 저항으로 계산할 수 있습니다. 00:01:21.448 --> 00:01:25.719 align:center line:-1 position:50% size:60% 결론적으로, 완벽한 전력 손실 평가를 위해서는 이들 파라미터의 특성을 모두 분석할 수 있는 00:01:25.719 --> 00:01:29.790 align:center line:-1 position:50% size:65% 테스트 장비가 필요합니다. 00:01:29.790 --> 00:01:34.528 align:center line:-1 position:50% size:63% 디바이스 기생 커패시턴스는 Ciss와 같은 입력 커패시턴스, 00:01:34.528 --> 00:01:36.997 align:center line:-1 position:50% size:36% Coss 출력 커패시턴스, 00:01:36.997 --> 00:01:40.133 align:center line:-1 position:50% size:54% Crss 역방향 전송 커패시턴스로 분류됩니다. 00:01:40.133 --> 00:01:42.836 align:center line:-1 position:50% size:57% 게이트 전하는 전력 디바이스를 완전히 구동시키는 데 필요한 00:01:42.836 --> 00:01:45.472 align:center line:-1 position:50% size:41% 전하의 총량으로 정의됩니다. 00:01:45.472 --> 00:01:48.108 align:center line:-1 position:50% size:45% 와이드 밴드갭 디바이스와 같이 스위칭 주파수가 높은 00:01:48.108 --> 00:01:50.677 align:center line:-1 position:50% size:54% 전력 디바이스에서는 ON 저항과 디바이스 기생 커패시턴스가 00:01:50.677 --> 00:01:52.879 align:center line:-1 position:50% size:42% 둘 다 중요하므로 00:01:52.879 --> 00:01:56.049 align:center line:-1 position:50% size:44% Qg와 Ron을 곱한 값으로 계산되는 00:01:56.049 --> 00:02:01.221 align:center line:-1 position:50% size:67% 성능 지수(FOM)가 반드시 작아야 합니다. 00:02:01.221 --> 00:02:05.826 align:center line:-1 position:50% size:63% 이 프레젠테이션에서는 스위칭 손실과 구동 손실로 인해 00:02:05.826 --> 00:02:12.799 align:center line:-1 position:50% size:48% 주 전원 손실이 발생하는 와이드 밴드갭 디바이스에 대해 좀 더 자세히 살펴보겠습니다. 00:02:12.799 --> 00:02:17.404 align:center line:-1 position:50% size:58% 유도 손실은 와이드 밴드갭 디바이스 전력 손실의 00:02:17.404 --> 00:02:22.442 align:center line:-1 position:50% size:69% 주요 요인은 아니지만 유도 손실의 정확한 측정과 판별이 00:02:22.442 --> 00:02:25.746 align:center line:-1 position:50% size:54% 꼭 중요하지 않은 것은 아닙니다. 00:02:25.746 --> 00:02:28.148 align:center line:-1 position:50% size:41% 최신 와이드 밴드갭 디바이스의 경우 ON 저항이 00:02:28.148 --> 00:02:31.618 align:center line:-1 position:50% size:36% 1 mΩ 미만인 경우가 많습니다. 00:02:31.618 --> 00:02:34.121 align:center line:-1 position:50% size:66% 수백 암페어의 전류를 소싱하고 00:02:34.121 --> 00:02:37.824 align:center line:-1 position:50% size:67% 동시에 마이크로볼트 범위의 전압을 정확하게 측정할 수 있는 기능은 00:02:37.824 --> 00:02:43.463 align:center line:-1 position:50% size:64% 많은 전력 반도체 측정 장치에 없는 기능입니다. 00:02:43.463 --> 00:02:46.767 align:center line:-1 position:50% size:49% 이러한 측정은 디바이스 자체 발열을 방지하기 위해 00:02:46.767 --> 00:02:50.170 align:center line:-1 position:50% size:43% 측정 펄스가 매우 짧고 듀티 사이클은 긴 상태에서 수행해야 하며 00:02:50.170 --> 00:02:56.043 align:center line:-1 position:50% size:74% 이는 많은 전력 반도체 측정 장치의 기능에도 부담을 줍니다. 00:02:56.043 --> 00:02:59.646 align:center line:-1 position:50% size:35% 이제 스위칭 손실에 대해 잠시 살펴보겠습니다. 00:02:59.646 --> 00:03:02.315 align:center line:-1 position:50% size:59% 모든 디바이스 스위칭 파형이 이상적이라면, 00:03:02.315 --> 00:03:05.585 align:center line:-1 position:50% size:61% 즉 스위칭이 즉각적으로 이루어진다면 00:03:05.585 --> 00:03:07.854 align:center line:-1 position:50% size:56% 스위칭 손실이 발생하지 않게 됩니다. 00:03:07.854 --> 00:03:11.058 align:center line:-1 position:50% size:49% 스위칭 손실이 발생하는 이유는 디바이스가 꺼진 상태에서 다시 켜지거나 00:03:11.058 --> 00:03:16.396 align:center line:-1 position:50% size:53% 켜진 상태에서 끈 상태로 전환할 때 스위칭 시간이 필요하기 때문입니다. 00:03:16.396 --> 00:03:21.601 align:center line:-1 position:50% size:57% 스위칭 시간은 주로 디바이스 접합 커패시턴스로 결정됩니다. 00:03:21.601 --> 00:03:25.505 align:center line:-1 position:50% size:42% 전력 디바이스의 디바이스 커패시턴스를 측정하는 일이 간단하지 않은 주된 이유는 00:03:25.505 --> 00:03:30.610 align:center line:-1 position:50% size:69% 커패시턴스는 작동 상태에서 측정해야 하기 때문입니다. 00:03:30.610 --> 00:03:34.147 align:center line:-1 position:50% size:61% 이는 커패시턴스를 측정하는 동안 디바이스 드레인-소스, 00:03:34.147 --> 00:03:39.152 align:center line:-1 position:50% size:45% 컬렉터-이미터 등에 수천 볼트의 전압을 00:03:39.152 --> 00:03:42.089 align:center line:-1 position:50% size:50% 가해야 함을 의미합니다. 00:03:42.089 --> 00:03:48.528 align:center line:-1 position:50% size:47% 다음 슬라이드에서 이러한 측정 과제를 살펴보겠습니다. 00:03:48.528 --> 00:03:53.500 align:center line:-1 position:50% size:70% 와이드 밴드갭 디바이스의 커패시턴스 측정은 쉽지 않은 작업입니다. 00:03:53.500 --> 00:03:58.271 align:center line:-1 position:50% size:53% B1505A와 B1506A 모두 고전압 바이어스 T 옵션을 지원하므로 00:03:58.271 --> 00:04:02.476 align:center line:-1 position:50% size:59% 다중 주파수 커패시턴스 측정 장치와 고전압 SMU를 00:04:02.476 --> 00:04:05.078 align:center line:-1 position:50% size:34% 결합할 수 있습니다. 00:04:05.078 --> 00:04:10.550 align:center line:-1 position:50% size:54% 이 경우 커패시턴스 측정값을 최대 3,000 V의 DC 바이어스로 구성할 수 있습니다. 00:04:10.550 --> 00:04:13.286 align:center line:-1 position:50% size:62% 그러나 다음 슬라이드에서 알 수 있듯이 00:04:13.286 --> 00:04:18.658 align:center line:-1 position:50% size:62% 이 기능을 사용하여 수천 볼트의 DC 바이어스에서 디바이스 커패시턴스를 측정하더라도 00:04:18.658 --> 00:04:24.264 align:center line:-1 position:50% size:60% 각 커패시턴스 측정 유형에 대한 올바른 연결 작업이 쉽지 않습니다. 00:04:24.264 --> 00:04:28.835 align:center line:-1 position:50% size:54% 커패시턴스 측정 이론은 물론 표준 네거티브 임계값 전압과 같이 00:04:28.835 --> 00:04:33.740 align:center line:-1 position:50% size:57% 와이드 밴드갭 디바이스와 관련된 문제를 00:04:33.740 --> 00:04:38.111 align:center line:-1 position:50% size:65% 정확하게 이해해야 합니다. 00:04:38.111 --> 00:04:43.617 align:center line:-1 position:50% size:70% 이 슬라이드는 B1505A 또는 B1506A 고전압 바이어스 T를 사용하여 평상시 꺼짐(normally off) 00:04:43.617 --> 00:04:48.288 align:center line:-1 position:50% size:38% 디바이스의 공통 데이터 시트 커패시턴스 측정, 00:04:48.288 --> 00:04:55.495 align:center line:-1 position:50% size:66% 즉 Crss, Coss, Ciss를 측정하는 데 필요한 연결 구성을 보여줍니다. 00:04:55.495 --> 00:05:02.102 align:center line:-1 position:50% size:65% 보시는 것처럼 각각의 커패시턴스를 측정할 때마다 구성을 크게 변경해야 합니다. 00:05:02.102 --> 00:05:04.804 align:center line:-1 position:50% size:65% Ciss 측정이 특히 어렵습니다. 00:05:04.804 --> 00:05:09.176 align:center line:-1 position:50% size:54% AC 신호에 대한 드레인-소스 연결을 단락시키면서 동시에 00:05:09.176 --> 00:05:15.348 align:center line:-1 position:50% size:63% 드레인-소스 단말기 전체에 최대 3 kV의 DC 전압을 유지해야 합니다. 00:05:15.348 --> 00:05:20.487 align:center line:-1 position:50% size:63% 이를 위해서는 일반적으로 드레인-소스 단말기 전체에 00:05:20.487 --> 00:05:25.058 align:center line:-1 position:50% size:39% 이 슬라이드 오른쪽 하단 그림과 같은 대형 커패시터를 사용해야 합니다. 00:05:25.058 --> 00:05:29.496 align:center line:-1 position:50% size:55% 아시겠지만 패키지 디바이스에서는 이러한 구성이 어렵지만 00:05:29.496 --> 00:05:34.868 align:center line:-1 position:50% size:51% 온웨이퍼 디바이스에는 이 작업이 거의 불가능합니다. 00:05:34.868 --> 00:05:38.305 align:center line:-1 position:50% size:40% 방금 전 슬라이드 내용은 평상시 꺼짐(normally off) 디바이스의 예이지만 00:05:38.305 --> 00:05:42.375 align:center line:-1 position:50% size:61% 아시다시피 대부분의 와이드 밴드갭 디바이스는 일반적으로 켜져 있는 상태이며 따라서 00:05:42.375 --> 00:05:45.779 align:center line:-1 position:50% size:39% 네거티브 임계값 전압을 갖습니다. 00:05:45.779 --> 00:05:50.617 align:center line:-1 position:50% size:61% 평상시 켜짐(normally on) 디바이스의 경우 소스가 바이어스가 충분한 상태로 00:05:50.617 --> 00:05:56.823 align:center line:-1 position:50% size:62% 게이트-소스 전압이 디바이스의 네거티브 임계값 전압보다 절대로 높아지지 않는지 확인해야 합니다. 00:05:56.823 --> 00:05:59.059 align:center line:-1 position:50% size:53% 이 슬라이드에 나와 있는 것처럼 00:05:59.059 --> 00:06:02.028 align:center line:-1 position:50% size:54% 디바이스가 절대로 순방향으로 바이어스되지 않고 00:06:02.028 --> 00:06:05.098 align:center line:-1 position:50% size:38% 동시에 이전 슬라이드의 모든 절차를 따르기 위해 00:06:05.098 --> 00:06:09.135 align:center line:-1 position:50% size:66% 좀 복잡한 연결 구조를 00:06:09.135 --> 00:06:11.304 align:center line:-1 position:50% size:24% 만들어야 합니다. 00:06:11.304 --> 00:06:14.541 align:center line:-1 position:50% size:58% 이러한 연결 구조는 다소 복잡하므로 00:06:14.541 --> 00:06:19.045 align:center line:-1 position:50% size:59% 오류 발생 확률이 크게 증가합니다. 00:06:19.045 --> 00:06:24.751 align:center line:-1 position:50% size:56% 키사이트는 이전 측정 문제에 대한 솔루션을 갖고 있습니다. 00:06:24.751 --> 00:06:32.292 align:center line:-1 position:50% size:61% 즉 B1505A와 B1506A 모두 디바이스 커패시턴스 선택기를 선택할 수 있습니다. 00:06:32.292 --> 00:06:36.363 align:center line:-1 position:50% size:54% 커패시턴스 선택기는 앞에서 말한 모든 구성 문제를 00:06:36.363 --> 00:06:39.065 align:center line:-1 position:50% size:38% 자동으로 해결해 줍니다. 00:06:39.065 --> 00:06:43.136 align:center line:-1 position:50% size:55% 사용자가 테스트 대상 디바이스의 유형과 그 임계 전압만 지정하면 00:06:43.136 --> 00:06:48.341 align:center line:-1 position:50% size:71% 커패시턴스 선택기가 한 가지 이상의 커패시턴스 측정을 자동으로 수행합니다. 00:06:48.341 --> 00:06:52.512 align:center line:-1 position:50% size:61% 외부 구성 요소를 추가할 필요도 없고 다른 측정 유형 간 00:06:52.512 --> 00:06:55.248 align:center line:-1 position:50% size:51% 연결을 변경할 필요도 없습니다. 00:06:55.248 --> 00:06:59.586 align:center line:-1 position:50% size:60% 커패시턴스 선택기는 또한 일반적으로 커패시턴스 미터를 사용하는 00:06:59.586 --> 00:07:04.658 align:center line:-1 position:50% size:61% 디바이스 게이트 저항도 측정할 수 있습니다. 00:07:04.658 --> 00:07:08.795 align:center line:-1 position:50% size:54% B1505A의 경우 디바이스 커패시턴스 선택기는 00:07:08.795 --> 00:07:10.263 align:center line:-1 position:50% size:39% 고전류, 고전압, 정밀 측정값을 00:07:10.263 --> 00:07:14.801 align:center line:-1 position:50% size:67% 전환하는 데 사용되는 모듈 선택기와 다른 별도의 모듈입니다. 00:07:14.801 --> 00:07:20.273 align:center line:-1 position:50% size:62% 따라서 C-V 측정과 I-V 측정 사이의 연결을 변경해야 합니다. 00:07:20.273 --> 00:07:25.412 align:center line:-1 position:50% size:66% B1506A는 디바이스 커패시턴스 선택기가 00:07:25.412 --> 00:07:29.115 align:center line:-1 position:50% size:39% 구성의 일부인 경우 옵션으로 테스트 픽스처에 통합됩니다. 00:07:29.115 --> 00:07:32.385 align:center line:-1 position:50% size:49% 따라서 아무 연결도 변경하지 않고 C-V 측정과 I-V 측정 사이를 00:07:32.385 --> 00:07:36.489 align:center line:-1 position:50% size:57% 전환할 수 있습니다. 00:07:36.489 --> 00:07:39.359 align:center line:-1 position:50% size:62% 지금까지 디바이스 스위칭 손실을 결정하는 주요 요인인 00:07:39.359 --> 00:07:43.196 align:center line:-1 position:50% size:41% 디바이스 커패시턴스를 측정하는 방법을 알아보았습니다. 00:07:43.196 --> 00:07:46.766 align:center line:-1 position:50% size:63% 다음은 전력 디바이스의 구동 손실에 대해 알아보겠습니다. 00:07:46.766 --> 00:07:49.803 align:center line:-1 position:50% size:54% 구동 손실은 전류가 게이트 저항을 통과할 때 발생합니다. 00:07:49.803 --> 00:07:54.808 align:center line:-1 position:50% size:61% 디바이스가 켜지고 꺼지는 동안 게이트 커패시턴스가 방출되기 때문입니다. 00:07:54.808 --> 00:07:59.112 align:center line:-1 position:50% size:61% 전체 게이트 저항은 외부에서 추가된 저항과 00:07:59.112 --> 00:08:01.214 align:center line:-1 position:50% size:54% 디바이스의 내부 게이트 저항의 합계로 구성됩니다. 00:08:01.214 --> 00:08:05.385 align:center line:-1 position:50% size:56% 왼쪽 그림에 나와 있는 것처럼 두 저항 모두 패키지와 00:08:05.385 --> 00:08:07.220 align:center line:-1 position:50% size:46% DUT의 고유한 저항에서 시작됩니다. 00:08:07.220 --> 00:08:08.655 align:center line:-1 position:50% size:43% 오른쪽 그림에서는 00:08:08.655 --> 00:08:14.094 align:center line:-1 position:50% size:62% 디바이스가 켜지고 꺼질 때 모두 구동 손실이 발생합니다. 00:08:14.094 --> 00:08:16.463 align:center line:-1 position:50% size:40% 구동 손실에 대한 설명을 계속하기 전에 00:08:16.463 --> 00:08:20.033 align:center line:-1 position:50% size:59% 먼저 게이트 전하란 무엇인지 이해해야 합니다. 00:08:20.033 --> 00:08:23.703 align:center line:-1 position:50% size:65% 게이트 전하는 게이트를 켜거나 끄기 위해 각각 게이트 또는 트랜지스터 베이스에 00:08:23.703 --> 00:08:28.375 align:center line:-1 position:50% size:52% 적용하거나 제거해야 하는 전하입니다. 00:08:28.375 --> 00:08:33.046 align:center line:-1 position:50% size:45% 게이트 전하는 X 축이 전하(Qg)이고 00:08:33.046 --> 00:08:36.750 align:center line:-1 position:50% size:49% Y 축이 게이트-소스 전압 (Vgs)인 곡선으로 표시됩니다. 00:08:36.750 --> 00:08:42.489 align:center line:-1 position:50% size:66% 이 슬라이드의 왼쪽에는 실리콘 MOSFET의 표준 게이트 전하 곡선이 나와 있습니다. 00:08:42.489 --> 00:08:44.524 align:center line:-1 position:50% size:49% 곡선의 앞부분을 보면 00:08:44.524 --> 00:08:49.362 align:center line:-1 position:50% size:60% 입력 커패시턴스(Ciss)에 전하가 충전되면서 디바이스는 계속 꺼져 있음을 알 수 있습니다. 00:08:49.362 --> 00:08:52.565 align:center line:-1 position:50% size:50% 디바이스를 켤 수 있는 충분한 전하가 게이트에 충전되면 00:08:52.565 --> 00:08:55.435 align:center line:-1 position:50% size:49% Vgs 증가가 일시적으로 중지됩니다. 00:08:55.435 --> 00:08:58.405 align:center line:-1 position:50% size:45% 곡선에서 이 부분을 안정 전압이라고 하며 00:08:58.405 --> 00:09:02.609 align:center line:-1 position:50% size:51% 해당 값은 Vgp로 지정됩니다. 00:09:02.609 --> 00:09:08.114 align:center line:-1 position:50% size:53% Vgs 전압은 디바이스가 완전히 켜질 때까지 Vgp로 유지됩니다. 00:09:08.114 --> 00:09:12.218 align:center line:-1 position:50% size:59% 디바이스가 완전히 켜진 후에도 입력 커패시턴스(Ciss)에 00:09:12.218 --> 00:09:16.289 align:center line:-1 position:50% size:38% 계속 전하를 충전하는 방법으로 트랜지스터에 계속 전하를 충전할 수 있습니다. 00:09:16.289 --> 00:09:18.291 align:center line:-1 position:50% size:51% 그러나 게이트-드레인 커패시턴스와 00:09:18.291 --> 00:09:21.628 align:center line:-1 position:50% size:49% 게이트-소스 커패시턴스의 합계인 Ciss는 전압의 영향을 받는다는 점에 00:09:21.628 --> 00:09:24.164 align:center line:-1 position:50% size:29% 유의해야 합니다. 00:09:24.164 --> 00:09:26.833 align:center line:-1 position:50% size:36% 이는 안전 전압 영역 앞뒤 영역의 곡선 기울기가 두 가지 경우 모두 00:09:26.833 --> 00:09:29.636 align:center line:-1 position:50% size:58% 1/CISS에 비례하지만 00:09:29.636 --> 00:09:33.072 align:center line:-1 position:50% size:57% 반드시 같지는 않음을 00:09:33.072 --> 00:09:35.809 align:center line:-1 position:50% size:38% 의미합니다. 00:09:35.809 --> 00:09:38.445 align:center line:-1 position:50% size:50% 과거 게이트-전하 측정의 주요 과제는 00:09:38.445 --> 00:09:42.615 align:center line:-1 position:50% size:62% 고전류와 고전압이 동시에 적용되는 실제 작동 상태에서 00:09:42.615 --> 00:09:45.351 align:center line:-1 position:50% size:49% 디바이스를 측정해야 한다는 것이었습니다. 00:09:45.351 --> 00:09:52.525 align:center line:-1 position:50% size:62% 이러한 전력을 즉시 공급할 수 있는 장비는 실제로 존재하지 않습니다. 00:09:52.525 --> 00:09:55.728 align:center line:-1 position:50% size:61% 키사이트는 고전압과 고전류를 동시에 공급하지 않아도 되는 00:09:55.728 --> 00:10:00.333 align:center line:-1 position:50% size:59% 2-패스 게이트 전하 측정 기법을 개발했습니다. 00:10:00.333 --> 00:10:04.304 align:center line:-1 position:50% size:72% 이 방법은 게이트 전하 측정을 두 부분으로 나눈 것입니다. 00:10:04.304 --> 00:10:06.606 align:center line:-1 position:50% size:55% 이 기법에는 두 가지 가정이 있는데 00:10:06.606 --> 00:10:10.810 align:center line:-1 position:50% size:43% 첫 번째는 CgsOff 값과 CisOff 값이 고전류와 00:10:10.810 --> 00:10:14.013 align:center line:-1 position:50% size:48% 고전압 상태에서 거의 동일하다는 것입니다. 00:10:14.013 --> 00:10:17.050 align:center line:-1 position:50% size:44% 두 번째 가정은 VdsOn 값이 고전류 및 고전압 작동 시 00:10:17.050 --> 00:10:20.153 align:center line:-1 position:50% size:58% 사실상 같다는 것입니다. 00:10:20.153 --> 00:10:23.022 align:center line:-1 position:50% size:51% 이러한 가정은 대부분의 인버터/변환기 회로에서 00:10:23.022 --> 00:10:26.993 align:center line:-1 position:50% size:45% 일반적으로 사용되는 디바이스에는 모두 타당성을 갖습니다. 00:10:26.993 --> 00:10:31.264 align:center line:-1 position:50% size:55% 고전압 및 고전류 곡선은 다음과 같이 결합됩니다. 00:10:31.264 --> 00:10:35.001 align:center line:-1 position:50% size:54% 도출된 게이트 전하 곡선은 고전류 곡선으로 측정한 00:10:35.001 --> 00:10:40.406 align:center line:-1 position:50% size:61% 안정 전압 수준에 도달할 때까지 고전압 곡선의 초기 기울기를 따릅니다. 00:10:40.406 --> 00:10:44.410 align:center line:-1 position:50% size:65% 도출된 게이트 전하 곡선은 이어서 고전압 곡선과 만날 때까지 00:10:44.410 --> 00:10:47.747 align:center line:-1 position:50% size:53% 고전류 안정 전압 선을 따릅니다. 00:10:47.747 --> 00:10:50.550 align:center line:-1 position:50% size:48% 도출된 게이트 전하 곡선은 다음으로 고전류 곡선의 기울기를 사용하여 00:10:50.550 --> 00:10:54.587 align:center line:-1 position:50% size:55% 이 지점에서 위쪽으로 연장됩니다. 00:10:54.587 --> 00:10:57.223 align:center line:-1 position:50% size:45% 다음은 2-패스 게이트 전하의 실제 구현 과정을 00:10:57.223 --> 00:11:00.293 align:center line:-1 position:50% size:38% 살펴보겠습니다. 00:11:00.293 --> 00:11:04.764 align:center line:-1 position:50% size:47% 키사이트 B1505A와 B1506A 모두 게이트 전하를 측정할 수 있지만 00:11:04.764 --> 00:11:08.701 align:center line:-1 position:50% size:50% 이 측정을 위해서는 게이트 전하 어댑터가 필요합니다. 00:11:08.701 --> 00:11:14.040 align:center line:-1 position:50% size:64% 지정된 부하를 구동시키는 동안 게이트 전하를 측정해야 하고 00:11:14.040 --> 00:11:18.778 align:center line:-1 position:50% size:53% 그에 따라 해당 부하를 수용하기 위해 특수 테스트 픽스처가 필요하기 때문입니다. 00:11:18.778 --> 00:11:21.514 align:center line:-1 position:50% size:51% 또한 정전류 부하를 측정하는 경우 00:11:21.514 --> 00:11:24.651 align:center line:-1 position:50% size:67% B1505A는 고전압 모드에서 00:11:24.651 --> 00:11:27.320 align:center line:-1 position:50% size:45% 고전류 모드로 전환할 때 수동 연결 변경 작업이 필요한 반면 00:11:27.320 --> 00:11:30.990 align:center line:-1 position:50% size:51% B1506A는 해당 기능이 테스트 픽스처에 내장되어 있어 00:11:30.990 --> 00:11:35.728 align:center line:-1 position:50% size:34% 수동 연결 변경 작업이 필요하지 않습니다. 00:11:35.728 --> 00:11:40.733 align:center line:-1 position:50% size:52% 각 측정 작업에 필요한 연결을 보면 00:11:40.733 --> 00:11:44.704 align:center line:-1 position:50% size:69% 정전류 모드에 대한 이러한 연결 변경의 이유가 명확해집니다. 00:11:44.704 --> 00:11:48.207 align:center line:-1 position:50% size:62% 왼쪽 그림은 고전압 게이트 전하 측정을 위한 연결 구조를 보여주며 00:11:48.207 --> 00:11:53.613 align:center line:-1 position:50% size:66% 오른쪽 그림은 고전류 게이트 전하 측정을 위한 연결 구조를 보여줍니다. 00:11:53.613 --> 00:11:56.449 align:center line:-1 position:50% size:37% 고전류 게이트 전하 측정을 위한 두 가지 부하 옵션이 00:11:56.449 --> 00:12:00.820 align:center line:-1 position:50% size:62% 상호 배타적이라는 사실을 이해해야 합니다. 00:12:00.820 --> 00:12:04.357 align:center line:-1 position:50% size:60% 사용자는 게이트 전하 어댑터에 전류 부하 트랜지스터 또는 부하 레지스터를 00:12:04.357 --> 00:12:08.161 align:center line:-1 position:50% size:62% 제공하고 물리적으로 연결해야 합니다. 00:12:08.161 --> 00:12:12.131 align:center line:-1 position:50% size:62% 전류 부하를 사용하고 고전류 측정에서 00:12:12.131 --> 00:12:14.634 align:center line:-1 position:50% size:37% 고전압 게이트 전하 측정으로 이동할 때 00:12:14.634 --> 00:12:16.569 align:center line:-1 position:50% size:56% 물리적 연결을 변경해야 하는 이유는 00:12:16.569 --> 00:12:18.137 align:center line:-1 position:50% size:30% 명확합니다. 00:12:18.137 --> 00:12:22.008 align:center line:-1 position:50% size:55% 로우 트랜지스터에 고전압을 가하려면 00:12:22.008 --> 00:12:24.644 align:center line:-1 position:50% size:38% 손상 위험을 감수해야 하기 때문입니다. 00:12:24.644 --> 00:12:28.448 align:center line:-1 position:50% size:65% 부하 저항기는 손상 위험이 없으므로 같은 문제를 발생하지 않습니다. 00:12:28.448 --> 00:12:33.086 align:center line:-1 position:50% size:68% 또한 고전압 SMU에서 공급되는 전류는 몇 밀리암페어 수준으로 매우 작아 00:12:33.086 --> 00:12:38.124 align:center line:-1 position:50% size:56% DUT가 인식하는 전압에 주목할만한 영향을 미치지 않습니다. 00:12:38.124 --> 00:12:44.664 align:center line:-1 position:50% size:59% 게이트 전하 테스트 픽스처는 B1505A용과 B1506A용이 매우 유사합니다. 00:12:44.664 --> 00:12:49.802 align:center line:-1 position:50% size:56% 두 테스트 픽스처 모두 정전류 부하를 지원하기 위한 부하 디바이스용 소켓이 있으며 00:12:49.802 --> 00:12:54.540 align:center line:-1 position:50% size:41% 저항성 부하 저항기를 지원하기 위한 단말기도 있습니다. 00:12:54.540 --> 00:12:59.712 align:center line:-1 position:50% size:60% 왼쪽 사진은 B1505A 게이트 전하 어댑터입니다. 00:12:59.712 --> 00:13:04.017 align:center line:-1 position:50% size:68% B1506A 게이트 전하 어댑터는 전면에 모듈 테스트를 지원하기 위한 00:13:04.017 --> 00:13:06.786 align:center line:-1 position:50% size:45% 바나나 플러그가 있습니다. 00:13:06.786 --> 00:13:09.656 align:center line:-1 position:50% size:42% B1506A에는 모듈 게이트 전하 측정을 지원하기 위한 00:13:09.656 --> 00:13:14.193 align:center line:-1 position:50% size:61% 차단 패드와 케이블이 함께 제공됩니다. 00:13:14.193 --> 00:13:19.399 align:center line:-1 position:50% size:67% 온웨이퍼 게이트 전하 측정은 B1505A만 수행할 수 있습니다. 00:13:19.399 --> 00:13:22.135 align:center line:-1 position:50% size:54% 온웨이퍼 게이트 전하 측정에 필요한 어댑터가 00:13:22.135 --> 00:13:25.538 align:center line:-1 position:50% size:45% 이 슬라이드 오른쪽에 나와 있습니다. 00:13:25.538 --> 00:13:29.509 align:center line:-1 position:50% size:43% B1505A와 B1506A의 멋진 공통 기능은 00:13:29.509 --> 00:13:34.580 align:center line:-1 position:50% size:61% 고전압 및 고전류 게이트 전하 측정을 위한 00:13:34.580 --> 00:13:37.250 align:center line:-1 position:50% size:60% 디바이스 전압 및 전류 스위칭 파형을 장치에서 직접 00:13:37.250 --> 00:13:38.351 align:center line:-1 position:50% size:31% 캡처 및 검토할 수 있다는 것입니다. 00:13:38.351 --> 00:13:41.754 align:center line:-1 position:50% size:55% 오실로스코프 등과 같은 다른 기기를 00:13:41.754 --> 00:13:43.856 align:center line:-1 position:50% size:52% 사용하지 않아도 되며 00:13:43.856 --> 00:13:46.426 align:center line:-1 position:50% size:56% 장치에서 직접 캡처하여 표시할 수 있습니다. 00:13:46.426 --> 00:13:49.195 align:center line:-1 position:50% size:42% 슬라이드 왼쪽의 두 그래프는 00:13:49.195 --> 00:13:51.764 align:center line:-1 position:50% size:42% 이 기능을 실제로 보여줍니다. 00:13:51.764 --> 00:13:54.534 align:center line:-1 position:50% size:54% 또한 게이트 전하 측정을 처음 설정할 때 00:13:54.534 --> 00:13:57.603 align:center line:-1 position:50% size:60% 모든 기능이 올바르게 작동하고 00:13:57.603 --> 00:13:59.639 align:center line:-1 position:50% size:59% 진동 발생과 같은 문제가 없는지 00:13:59.639 --> 00:14:04.210 align:center line:-1 position:50% size:39% 확인하기 위해 이들 파형을 검토해야 합니다. 00:14:04.210 --> 00:14:07.080 align:center line:-1 position:50% size:40% 오른쪽 마지막 게이트 전하 곡선이 나타내는 것처럼 00:14:07.080 --> 00:14:09.215 align:center line:-1 position:50% size:67% 2-패스 게이트 전하 측정 기법은 00:14:09.215 --> 00:14:14.253 align:center line:-1 position:50% size:37% 데이터시트 매개변수와 동일한 결과를 제공합니다. 00:14:14.253 --> 00:14:18.257 align:center line:-1 position:50% size:62% 이 주제를 마치기 전에 온웨이퍼 게이트 전하는 진동에 매우 민감하여 00:14:18.257 --> 00:14:22.628 align:center line:-1 position:50% size:47% 측정이 특히 어려울 수 있다는 점을 말하고 싶습니다. 00:14:22.628 --> 00:14:25.998 align:center line:-1 position:50% size:52% 따라서 이 전하를 측정하려면 게이트 전하 측정 시 00:14:25.998 --> 00:14:29.268 align:center line:-1 position:50% size:46% 진동 방지를 위해 프로브 팁 주위에 00:14:29.268 --> 00:14:30.536 align:center line:-1 position:50% size:56% 페라이트 비드를 배치해야 합니다. 00:14:30.536 --> 00:14:36.642 align:center line:-1 position:50% size:70% 파형이 이 그림과 같이 나타나고 진동이 발생하지 않는지 확인해야 합니다.