Вы искали эту информацию? Посмотреть другие результаты поиска:

 

Связаться с экспертом

Основы измерений параметров материалов и устройств

Более подробная информация на главной странице семинаров HOTSPOTS

Основы измерений параметров материалов и устройств — Программа семинара
Регистрация - внизу страницы
Вступительное слово — Keysight
Тема 1: Тестирование параметров материалов: проблемы и решения
Демонстрация работы приборов, вопросы и ответы
Тема 2: Перспективные решения для измерений импеданса
Демонстрация работы приборов, вопросы и ответы, перерыв на чай/кофе
Тема 3: Тестирование параметров материалов и устройств в диапазоне частот до 1,5 ТГц
Демонстрация работы приборов, вопросы и ответы, перерыв на обед
Тема 4: Тестирование электрических параметров устройств на основе GaN и SiC с помощью анализатора мощных устройств/характериографа Keysight серии B1505A
Вопросы и ответы

Доклады и их краткое содержание

Вступительное слово: Семинар Keysight по основам измерений параметров материалов и устройств

Знание свойств материалов (как натуральных, так и искусственных) необходимо по разным причинам.

В течение прошедшего столетия ученые обнаружили, что материалы — металлы, полупроводники, органические материалы (например, полимеры) и полупроводниковые соединения — обладают самыми разнообразными исключительно полезными свойствами. Как ожидается, в ближайшие сто лет новые и перспективные материалы, такие как оксидные полупроводники, углеродные нанотрубки и графен, продемонстрируют еще более значительные преимущества. Компания Keysight Technologies разрабатывает контрольно-измерительные решения, которые способны удовлетворить вновь возникающие потребности ученых и инженеров в тестировании таких материалов. В этом докладе мы расскажем о наиболее перспективных технологиях и о том, что компания Keysight может предложить для решения большинства чрезвычайно сложных измерительных задач.

Тема 1: Тестирование параметров материалов: проблемы и решения

Тестирование параметров материалов представляет собой очень сложную задачу в связи с тем, что каждый материал является уникальным с точки зрения его электрических, оптических и структурных характеристик. Эти уникальные свойства позволяют различным устройствам и компонентам, таким как солнечные элементы, датчики, преобразователи, логические интегральные схемы, запоминающие устройства, межсоединения, дисплеи, излучатели, герметизирующие материалы, выполнять заданные функции. В этом докладе мы рассмотрим традиционные методы тестирования электрических параметров различных материалов и представим приборы и решения Keysight для тестирования параметров материалов.

Тема 2: Перспективные решения для измерений импеданса

Данный доклад посвящен основным методам измерений импеданса и примерам их использования. В нем также рассматриваются методики точных измерений импеданса различных компонентов, таких как конденсаторы, катушки индуктивности и трансформаторы. Вы получите представление о причинах возникновения ошибок измерений, источниках погрешностей измерений и о способах коррекции этих ошибок. Обсуждение достоинств и недостатков различных применяемых на практике методов измерений поможет вам выбрать подходящий прибор для решения конкретных измерительных задач.

Тема 3: Тестирование параметров материалов и устройств в диапазоне частот до 1,5 ТГц

Тестирование электромагнитных параметров различных материалов в СВЧ- и миллиметровом диапазоне частот дает инженерам важные данные для разработки, моделирования, исследования, производства и контроля качества материалов и устройств. В этом докладе мы рассмотрим методы, используемые для измерения диэлектрических свойств твердых и жидких веществ и обсудим критерии, которые нужно учитывать при выборе метода измерений. Особое внимание будет уделено тем методам, которые используются для измерения относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь твердых и жидких диэлектриков в диапазоне частот от 100 МГц до 1,1 ТГц.

Тема 4: Тестирование электрических параметров устройств на основе GaN и SiC с помощью анализатора мощных устройств/характериографа Keysight B1505A

Быстрое совершенствование технологий производства современных силовых устройств приводит к столь же быстрому устареванию обычного измерительного оборудования. Особую важность приобретает тестирование высоких значений тока проводимости (более 1000 А), токов утечки в суб-пикоамперном диапазоне, а также определение напряжения пробоя до 10 кВ. В этом докладе мы рассмотрим обсудим стандартные методы измерений вольт-амперных (ВАХ) и вольт-фарадных (ВФХ) характеристик силовых устройств на основе нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC) с помощью анализатора мощных устройств/характериографа Keysight серии B1505A.

Отправьте заявку на участие в одном из этих мероприятий, щелкнув по соответствующей ссылке в приведенной ниже таблице.

Вы также можете посетить только те темы, которые вам интересны. Для этого в заявке, пожалуйста, укажите, какие темы вы хотели бы посетить.

Вы также можете подписаться на получение уведомлений о будущих семинарах HOTSPOTS, посвященных измерениям параметров материалов и устройств. Для подписки нажмите, пожалуйста, кнопку «Оповестить» ниже.

 

Дата Город Язык докладов Страна Заявка на участие
20 сентября 2017 Фрайбург немецкий Германия tmo_russia@keysight.com
Дата уточняется Санкт-Петербург русский Россия tmo_russia@keysight.com
11 октября 2017 Нюрнберг, выставка EuMW английский Германия tmo_russia@keysight.com
11 октября 2017 Калькутта английский Индия tmo_russia@keysight.com
19 октября 2017 Пиза английский Италия tmo_russia@keysight.com
30 ноября 2017 Фридрихшафен немецкий Германия tmo_russia@keysight.com